| SI3900DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Pjesa e Numrit | SI3900DV-T1-GE3 |
| prodhues | Vishay Siliconix |
| Përshkrim | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Sasia e disponueshme | 21985 pcs new original in stock. Kërkesa e aksioneve dhe kuotimi |
| Model ECAD | |
| datasheets | SI3900DV-T1-GE3.pdf |
| SI3900DV-T1-GE3 Price |
Çmimi i Kërkesës dhe Koha e Plotësimit Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacioni Teknik i SI3900DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numri i Pjesës së Prodhuesit | SI3900DV-T1-GE3 | kategori | |
| prodhues | Vishay / Siliconix | Përshkrim | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Paketa / Rasti | 6-TSOP | Sasia e disponueshme | 21985 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | teknologji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paketa e Pajisjes Furnizuese | 6-TSOP | seri | TrenchFET® |
| RDS Në (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V | Fuqia - Max | 830mW |
| Paketa / Rasti | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Pako | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura e punës | -55°C ~ 150°C (TJ) | Lloji i montimit | Surface Mount |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds | - | Ngarkesa e Portës (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Voltage Burimi (Vdss) | 20V |
| E tanishme - Drain vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 2A | konfiguracion | 2 N-Channel (Dual) |
| Numri i produktit bazë | SI3900 | ||
| Shkarko | SI3900DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Na dërgoni me email: Info@Ariat-Tech.com ose RFQ SI3900DV-T1-GE3 Online.
| Aksioneve SI3900DV-T1-GE3 | Amimi SI3900DV-T1-GE3 | Elektronikë SI3900DV-T1-GE3 |
| Përbërësit SI3900DV-T1-GE3 | Inventari SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 Digikey |
| Furnizuesi SI3900DV-T1-GE3 | Porositni SI3900DV-T1-GE3 Online | Hetim SI3900DV-T1-GE3 |
| Imazhi SI3900DV-T1-GE3 | Foto SI3900DV-T1-GE3 | SI3900DV-T1-GE3 PDF |
| Fleta e të dhënave SI3900DV-T1-GE3 | Shkarkoni faqen e të dhënave SI3900DV-T1-GE3 | Prodhuesi Vishay / Siliconix |
